Epitaxial (EPI) Silicon Wafer

Katerangan

Epitaxial Silicon Waferatanapi EPI Silicon Wafer, nyaéta wafer tina lapisan kristal semikonduktor anu disimpen dina permukaan kristal anu digosok tina substrat silikon ku pertumbuhan epitaxial.Lapisan epitaxial bisa jadi bahan anu sarua salaku substrat ku tumuwuhna epitaxial homogen, atawa lapisan aheng kalayan kualitas desirable husus ku tumuwuhna epitaxial hétérogén, nu adopts téhnologi pertumbuhan epitaxial kaasup deposisi uap kimia CVD, fase cair epitaxy LPE, kitu ogé beam molekular. epitaxy MBE pikeun ngahontal kualitas pangluhurna kapadetan cacad lemah sareng roughness permukaan alus.Silicon Epitaxial Wafers utamana dipaké dina produksi alat semikonduktor canggih, IC elemen semikonduktor terpadu kacida, alat diskrit jeung kakuatan, ogé garapan pikeun unsur dioda jeung transistor atawa substrat pikeun IC kayaning tipe bipolar, MOS jeung alat BiCMOS.Saterusna, sababaraha lapisan epitaxial jeung pilem kandel EPI silikon wafers mindeng dipaké dina microelectronics, photonics sarta aplikasi photovoltaics.

Pangiriman

Epitaxial Silicon Wafers atanapi EPI Silicon Wafer di Western Minmetals (SC) Corporation tiasa ditawarkeun dina ukuran 4, 5 sareng 6 inci (diameter 100mm, 125mm, 150mm), kalayan orientasi <100>, <111>, résistansi epilayer <1ohm. -cm atawa nepi ka 150ohm-cm, sarta ketebalan epilayer <1um atawa nepi ka 150um, pikeun nyugemakeun rupa sarat dina finish permukaan etched atawa perlakuan LTO, dipak dina kaset jeung kotak karton luar, atawa spésifikasi sakumaha ngaropéa kana solusi sampurna. .

Pananya ayeuna

Rincian

Tag

Spésifikasi Téknis

Epi Silicon Wafer

Epitaxial Silicon Wafersatanapi EPI Silicon Wafer di Western Minmetals (SC) Corporation tiasa ditawarkeun dina ukuran 4, 5 sareng 6 inci (diaméter 100mm, 125mm, 150mm), kalayan orientasi <100>, <111>, résistansi epilayer <1ohm-cm atanapi nepi ka 150ohm-cm, sarta ketebalan epilayer of <1um atawa nepi ka 150um, pikeun nyugemakeun rupa sarat dina finish permukaan etched atawa perlakuan LTO, dipak dina kaset jeung kotak karton luar, atawa sakumaha spésifikasi ngaropéa kana solusi sampurna.

Lambang	Si
Nomer atom	14
Beurat atom	28.09
Kategori Unsur	Métaloid
Grup, Periode, Blok	14, 3, P
Struktur kristal	Inten
Warna	kulawu poék
Titik Lebur	1414°C, 1687,15 K
Titik didih	3265°C, 3538,15 K
Kapadetan dina 300K	2,329 g/cm³
Résistansi intrinsik	3.2E5 Ω-cm
Nomer CAS	7440-21-3
Nomer EC	231-130-8

No.	Barang	Spésifikasi baku
1	Ciri Umum
1-1	Ukuran	4"	5"	6"
1-2	Diaméterna mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Orientasi	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Ciri Lapisan Epitaxial
2-1	Métode Tumuwuh	CVD	CVD	CVD
2-2	Tipe Konduktivitas	P atawa P+, N/ atawa N+	P atawa P+, N/ atawa N+	P atawa P+, N/ atawa N+
2-3	Ketebalan μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Kasaragaman ketebalan	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Résistansi Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Kasaragaman résistansi	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokasi cm-2	<10	<10	<10
2-8	Kualitas permukaan	Henteu aya chip, halimun atanapi kulit jeruk, jsb.
3	Nanganan Ciri substrat
3-1	Métode Tumuwuh	CZ	CZ	CZ
3-2	Tipe Konduktivitas	P/N	P/N	P/N
3-3	Ketebalan μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Ketebalan Uniformity max	3%	3%	3%
3-5	Résistansi Ω-cm	Sakumaha diperlukeun	Sakumaha diperlukeun	Sakumaha diperlukeun
3-6	Kasaragaman résistansi	5%	5%	5%
3-7	TTV μm maks	10	10	10
3-8	Bow μm maks	30	30	30
3-9	Warp μm maks	30	30	30
3-10	EPD cm-2 maks	100	100	100
3-11	Propil Ujung	Dibuleudkeun	Dibuleudkeun	Dibuleudkeun
3-12	Kualitas permukaan	Henteu aya chip, halimun atanapi kulit jeruk, jsb.
3-13	Balik Sisi Finish	Etched atanapi LTO (5000±500Å)
4	Bungkusan	Kaset di jero, kotak karton di luar.

Silicone Epitaxial Wafersutamana dipaké dina produksi alat semikonduktor canggih, elemen semikonduktor terpadu ICs, diskrit jeung kakuatan alat, ogé garapan pikeun unsur dioda jeung transistor atawa substrat pikeun IC kayaning tipe bipolar, MOS jeung alat BiCMOS.Saterusna, sababaraha lapisan epitaxial jeung pilem kandel EPI silikon wafers mindeng dipaké dina microelectronics, photonics sarta aplikasi photovoltaics.