Gallium Antimonide GaSb

Katerangan

Gallium Antimonide GaSb, semikonduktor tina sanyawa golongan III-V kalawan struktur kisi séng-blende, disintésis ku gallium purity tinggi 6N 7N sarta elemen antimon, sarta tumuwuh jadi kristal ku metoda LEC ti directionally beku polycrystalline ingot atanapi metoda VGF kalawan EPD <1000cm.^-3.Wafer GaSb tiasa diiris sareng didamel saatosna tina ingot kristalin tunggal kalayan kaseragaman parameter listrik anu luhur, struktur kisi anu unik sareng konstan, sareng kapadetan cacad anu rendah, indéks réfraktif anu paling luhur tibatan sanyawa non-logam anu sanés.GaSb tiasa diolah kalayan pilihan anu lega dina orientasi pasti atanapi pareum, konsentrasi doped rendah atanapi tinggi, permukaan permukaan anu saé sareng pikeun pertumbuhan epitaxial MBE atanapi MOCVD.Substrat Gallium Antimonide dianggo dina aplikasi poto-optik sareng optoeléktronik anu paling canggih sapertos fabrikasi detéktor poto, detéktor infra beureum kalayan umur panjang, sensitipitas sareng réliabilitas anu luhur, komponén photoresist, LED infra red sareng laser, transistor, sél photovoltaic termal. jeung sistem thermo-photovoltaic.

Pangiriman

Gallium Antimonide GaSb di Western Minmetals (SC) Corporation tiasa ditawarkeun kalayan tipe-n, tipe-p sareng konduktivitas semi-insulating undoped dina ukuran 2 "3" sareng 4" (50mm, 75mm, 100mm) diaméterna, orientasi <111> atawa <100>, sarta kalawan permukaan wafer finish of as-cut, etched, digosok atawa kualitas luhur epitaxy siap rengse.Kabéh keureut anu individual laser scribed pikeun identitas.Samentara éta, polycrystalline gallium antimonide GaSb lump ogé ngaropéa kana pamundut ka solusi sampurna.

Pananya ayeuna

Rincian

Tag

Spésifikasi Téknis

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbSubstrat dianggo dina aplikasi poto-optik sareng optoeléktronik anu paling canggih sapertos pembuatan detéktor poto, detéktor infra red kalayan umur panjang, sensitipitas sareng réliabilitas anu luhur, komponén photoresist, LED infra red sareng laser, transistor, sél fotovoltaik termal sareng termo. -sistem photovoltaic.

	Barang	Spésifikasi baku
1	Ukuran	2"	3"	4"
2	Diaméterna mm	50,5 ± 0,5	76.2±0.5	100±0,5
3	Métode Tumuwuh	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivitas	P-tipe/Zn-doped, Un-doped, N-tipe/Te-doped
5	Orientasi	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Ketebalan μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Datar mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Idéntifikasi Datar mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	200-3500 atawa sakumaha diperlukeun
10	Konsentrasi Carrier cm-3	(1-100)E17 atawa sakumaha diperlukeun
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Bow μm maks	15	15	15
13	Warp μm maks	20	20	20
14	Kapadetan Dislokasi cm-2 max	500	1000	2000
15	Surface Finish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Bungkusan	Wafer wafer tunggal disegel dina kantong Aluminium.

Rumus linier	GaSb
Beurat Molekul	191.48
Struktur kristal	Séng adun
Penampilan	Gray kristalin padet
Titik lebur	710°C
Titik didih	N/A
Kapadetan dina 300K	5,61 g/cm³
Énergi Gap	0,726 eV
Résistansi intrinsik	1E3 Ω-cm
Nomer CAS	12064-03-8
Nomer EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbdi Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawarkeun kalawan n-tipe, p-tipe sarta undoped konduktivitas semi-insulating dina ukuran 2 "3" jeung 4" (50mm, 75mm, 100mm) diaméterna, orientasi <111> atawa <100 >, sarta kalawan finish permukaan wafer tina sakumaha-cut, etched, digosok atawa kualitas luhur epitaxy siap rengse.Kabéh keureut anu individual laser scribed pikeun identitas.Samentara éta, polycrystalline gallium antimonide GaSb lump ogé ngaropéa kana pamundut ka solusi sampurna.