Indium Antimonide InSb

Katerangan

Indium Antimonide InSb, semikonduktor tina grup III-V sanyawa kristalin jeung struktur kisi séng-blende, disintésis ku 6N 7N purity tinggi Indium jeung elemen antimon, sarta tumuwuh kristal tunggal ku métode VGF atawa métode Liquid Encapsulated Czochralski LEC ti sababaraha zone refined ingot polycrystalline, nu bisa sliced jeung fabricated kana wafer jeung blok afterward.InSb nyaéta semikonduktor transisi langsung kalayan celah pita sempit 0.17eV dina suhu kamar, sensitipitas luhur kana panjang gelombang 1–5μm sareng mobilitas aula ultra luhur.Indium Antimonide InSb tipe n, tipe p jeung konduktivitas semi-insulating di Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawarkeun dina ukuran 1″ 2″ 3″ jeung 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) diaméterna, orientasi < 111> atawa <100>, sarta kalawan finish permukaan wafer sakumaha-cut, lapped, etched jeung digosok.Indium Antimonide InSb target of Dia.50-80mm kalawan un-doped n-tipe oge sadia.Samentara éta, polycrystalline indium antimonide InSb ( multicrystal InSb) kalayan ukuran gumpalan henteu teratur, atanapi kosong (15-40) x (40-80) mm, sareng bar buleud D30-80mm ogé disaluyukeun upami dipénta pikeun solusi anu sampurna.

Aplikasi

Indium Antimonide InSb mangrupikeun substrat idéal pikeun ngahasilkeun seueur komponén sareng alat canggih, sapertos solusi pencitraan termal canggih, sistem FLIR, unsur aula sareng unsur pangaruh magnetoresistance, sistem bimbingan misil homing infra red, sensor photodetector Infrabeureum anu responsif pisan. , sensor résistansi magnét sareng puteran precision tinggi, susunan planar fokus, sareng ogé diadaptasi salaku sumber radiasi terahertz sareng dina teleskop ruang astronomi infra red jsb.

Pananya ayeuna

Rincian

Tag

Spésifikasi Téknis

Indium Antimonide

InSb

Substrat Indium Antimonide(InSb Substrat, InSb Wafer) tipe-n atawa tipe-p di Western Minmetals (SC) Corporation bisa ditawarkeun dina ukuran 1" 2" 3" jeung 4" (30, 50, 75 jeung 100mm) diaméterna, orientasi <111> atawa <100>, jeung kalayan permukaan wafer tina lapped, etched, rengse digosok.Indium Antimonide Tunggal Kristal bar (InSb Monocrystal bar) ogé bisa disadiakeun kana pamundut.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, atanapi multicrystal InSb) kalayan ukuran gumpalan anu henteu teratur, atanapi kosong (15-40)x (40-80)mm ogé disaluyukeun upami dipénta pikeun solusi anu sampurna.

Samentara éta, Indium Antimonide Target (InSb Target) tina Dia.50-80mm kalawan un-doped n-tipe oge sadia.

No.	Barang	Spésifikasi baku
1	Substrat Indium Antimonide	2"	3"	4"
2	Diaméterna mm	50,5 ± 0,5	76.2±0.5	100±0,5
3	Métode Tumuwuh	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivitas	P-tipe/Zn, Ge doped, N-tipe/Te-doped, Un-doped
5	Orientasi	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Ketebalan μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Datar mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Idéntifikasi Datar mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped， 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 atawa ≤8E13 P/Ge-doped
10	Konsentrasi Carrier cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 atawa <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Bow μm maks	15	15	15
13	Warp μm maks	20	20	20
14	Kapadetan Dislokasi cm-2 max	50	50	50
15	Surface Finish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Bungkusan	Wafer wafer tunggal disegel dina kantong Aluminium.

No.	Barang	Spésifikasi baku
No.	Barang	Indium Antimonide Polycrystalline	Indium Antimonide Target
1	Konduktivitas	Dibébaskeun	Dibébaskeun
2	Konsentrasi pamawa cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilitas cm²/ vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Ukuran	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Bungkusan	Dina kantong aluminium komposit, kotak karton luar

Rumus linier	InSb
Beurat Molekul	236.58
Struktur kristal	Séng adun
Penampilan	Kristal logam abu poék
Titik lebur	527 °C
Titik didih	N/A
Kapadetan dina 300K	5,78 g/cm³
Énergi Gap	0,17 eV
Résistansi intrinsik	4E(-3) Ω-cm
Nomer CAS	1312-41-0
Nomer EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer mangrupikeun substrat idéal pikeun ngahasilkeun seueur komponén sareng alat canggih, sapertos solusi pencitraan termal canggih, sistem FLIR, unsur aula sareng unsur pangaruh magnetoresistance, sistem bimbingan misil homing infra red, sensor photodetector Infrabeureum anu responsif pisan, tinggi. -precision sensor résistansi magnét sareng Rotary, susunan planar fokus, sareng ogé diadaptasi salaku sumber radiasi terahertz sareng dina teleskop ruang astronomi infra red jsb.