Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

Tunggal Kristal Silicon Ingot

Katerangan

Tunggal Kristal Silicon Ingotis biasana tumuwuh salaku ingot cylindrical badag ku doping akurat tur narik téknologi Czochralski CZ, Médan magnét ngainduksi Czochralski MCZ jeung métode FZ Floating Zone.Metoda CZ anu paling loba dipaké pikeun tumuwuh kristal silikon ingot cylindrical badag dina diaméter nepi ka 300mm dipaké dina industri éléktronika nyieun alat semikonduktor.Métode MCZ mangrupikeun variasi metode CZ dimana médan magnét anu diciptakeun ku éléktromagnét, anu tiasa ngahontal konsentrasi oksigén rendah sacara komparatif, konsentrasi najis anu langkung handap, dislokasi langkung handap sareng variasi résistivitas seragam.Metoda FZ ngagampangkeun ngahontal résistivitas anu luhur di luhur 1000 Ω-cm sareng kristal kamurnian tinggi kalayan eusi oksigén anu rendah.

Pangiriman

Tunggal Kristal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ atanapi FZ NTD kalawan n-tipe atanapi p-tipe konduktivitas di Western Minmetals (SC) Corporation bisa dikirimkeun dina ukuran 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm jeung 200mm diaméterna (2, 3). , 4, 6 jeung 8 inci), orientasi <100>, <110>, <111> kalawan permukaan grounded dina bungkusan kantong plastik jero kalayan kotak karton luar, atawa sakumaha spésifikasi ngaropéa pikeun ngahontal solusi sampurna.

Pananya ayeuna

Rincian

Tag

Spésifikasi Téknis

Tunggal Kristal Silicon Ingot

Tunggal Kristal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ atanapi FZ NTDkalayan konduktivitas tipe-n atanapi tipe-p di Western Minmetals (SC) Corporation tiasa dikirimkeun dina ukuran 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm sareng 200mm diaméterna (2, 3, 4, 6 sareng 8 inci), orientasi <100 >, <110>, <111> kalawan permukaan grounded dina bungkusan kantong plastik di jero kalayan kotak karton luar, atawa sakumaha spésifikasi ngaropéa pikeun ngahontal solusi sampurna.

No.	Barang	Spésifikasi baku
1	Ukuran	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9,5", 10", 12"
2	Diaméterna mm	50.8-241.3, atawa sakumaha diperlukeun
3	Métode Tumuwuh	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	Tipe Konduktivitas	P-type / Boron doped, N-type / Phosphide doped atanapi Un-doped
5	Panjangna mm	≥180 atawa sakumaha diperlukeun
6	Orientasi	<100>, <110>, <111>
7	Résistansi Ω-cm	Sakumaha diperlukeun
8	Kandungan Karbon a/cm³	≤5E16 atawa sakumaha diperlukeun
9	Kandungan Oksigén a/cm³	≤1E18 atawa sakumaha diperlukeun
10	Kontaminasi logam a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) atawa <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Bungkusan	Kantong plastik di jero, kasus lapis atanapi kotak karton di luar.

Lambang	Si
Nomer atom	14
Beurat atom	28.09
Kategori Unsur	Métaloid
Grup, Periode, Blok	14, 3, P
Struktur kristal	Inten
Warna	kulawu poék
Titik lebur	1414°C, 1687,15 K
Titik didih	3265°C, 3538,15 K
Kapadetan dina 300K	2,329 g/cm³
Résistansi intrinsik	3.2E5 Ω-cm
Nomer CAS	7440-21-3
Nomer EC	231-130-8

Tunggal Kristal Silicon Ingot, Nalika ditumpes tumuwuh sarta mumpuni resistivity anak, eusi najis, kasampurnaan kristal, ukuran jeung beurat, ieu grounded maké roda inten pikeun nyieun silinder sampurna diaméter katuhu, lajeng ngalaman hiji prosés etching ngaleupaskeun defects mékanis ditinggalkeun ku prosés grinding. .Afterwards ingot cylindrical dipotong kana blok kalawan panjang nu tangtu, sarta dibéré kiyeu na primér atawa sekundér datar ku sistem penanganan wafer otomatis pikeun alignment pikeun ngaidentipikasi orientasi crystallographic sarta konduktivitas saméméh prosés slicing wafer hilir.