Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

Tunggal Kristal Germanium Wafer / Ingot

Katerangan

Tunggal Kristal Germanium Wafer / Ingotatanapi germanium monocrystalline nyaéta penampilan warna abu pérak, titik lebur 937°C, kapadetan 5,33 g/cm³.A germanium kristalin rapuh sarta ngabogaan saeutik plasticity dina suhu kamar.germanium purity tinggi diala ku zone floating na doped kalawan indium na gallium atawa antimony mangtaun n-tipe atawa p-tipe konduktivitas, nu boga mobilitas éléktron tinggi na mobilitas liang tinggi, sarta bisa dipanaskeun listrik pikeun anti fogging atawa anti icing. aplikasi.Tunggal Kristal Germanium dipelak ku Téknologi VGF Gradién Gradién Vertikal pikeun mastikeun stabilitas kimiawi, résistansi korosi, transmisi anu saé, indéks réfraktif anu luhur sareng tingkat kasampurnaan kisi anu luhur.

Aplikasi

Tunggal Kristal Germanium mendakan aplikasi anu ngajangjikeun sareng lega, dimana kelas éléktronik dianggo pikeun dioda sareng transistor, Infrabeureum atanapi kelas optik germanium kosong atanapi jandela kanggo jandela optik IR atanapi disk, komponén optik anu dianggo dina visi wengi sareng solusi pencitraan thermographic pikeun kaamanan, pangukuran suhu jauh, tarung seuneu jeung alat ngawaskeun industri, enteng doped P jeung N tipe Germanium wafer bisa ogé dipaké pikeun percobaan pangaruh Hall.Kelas sél kanggo substrat anu dianggo dina sél surya triple-junction III-V sareng pikeun sistem PV Konsentrasi kakuatan sél surya jsb.

Pananya ayeuna

Rincian

Tag

Spésifikasi Téknis

Tunggal Kristal Germanium

Tunggal Kristal Germanium Wafer atanapi Ingotkalawan n-tipe, p-tipe jeung un-doped konduktivitas jeung orientasi <100> di Western Minmetals (SC) Corporation bisa dikirimkeun dina ukuran 2, 3, 4 jeung 6 diaméterna inci (50mm, 75mm, 100mm jeung 150mm) jeung permukaan finish of etched atawa digosok dina pakét kotak busa atawa kaset pikeun wafer na di kantong plastik disegel pikeun ingot kalawan kotak karton luar, polycrystalline germanium ingot oge sadia on pamundut, atawa sakumaha spésifikasi ngaropéa pikeun ngahontal solusi sampurna.

Lambang	Ge
Nomer atom	32
Beurat atom	72.63
Kategori Unsur	Métaloid
Grup, Periode, Blok	14, 4, P
Struktur kristal	Inten
Warna	Bodas kulawu
Titik lebur	937°C, 1211,40K
Titik didih	2833°C, 3106K
Kapadetan dina 300K	5,323 g / cm³
Résistansi intrinsik	46 Ω-cm
Nomer CAS	7440-56-4
Nomer EC	231-164-3

No.	Barang	Spésifikasi baku
1	Germanium Wafer	2"	3"	4"	6"
2	Diaméterna mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0,5	150±0,5
3	Métode Tumuwuh	VGF atanapi CZ	VGF atanapi CZ	VGF atanapi CZ	VGF atanapi CZ
4	Konduktivitas	P-tipe / doped (Ga atawa Dina), N-tipe/ doped Sb, Un-doped
5	Orientasi	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°	(100) ± 0,5°
6	Ketebalan μm	145, 175, (500-1000)
7	Résistansi Ω-cm	0.001-50	0.001-50	0.001-50	0.001-50
8	Mobilitas cm2/Vs	> 200	> 200	> 200	> 200
9	TTV μm maks	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bow μm maks	15	15	15	15
11	Warp μm maks	15	15	15	15
12	Dislokasi cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Jumlah Partikel a/wafer max	10 (dina ≥0,5μm)	10 (dina ≥0,5μm)	10 (dina ≥0,5μm)	10 (dina ≥0,5μm)
15	Surface Finish	P / E, P / P atanapi sakumaha diperlukeun
16	Bungkusan	wadahna wafer tunggal atawa kaset jero, kotak karton luar

No.	Barang	Spésifikasi baku
1	Germanium Ingot	2"	3"	4"	6"
2	Tipe	P-type / doped (Ga, In), N-type/ doped (As, Sb), Un-doped
3	Résistansi Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50	0.1-50
4	Pamawa Hirupna μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Ingot Panjang mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Bungkusan	Disegel dina kantong plastik atanapi kotak busa jero, kotak karton luar
7	Nyarios	Ingot germanium polycrystalline sayogi upami dipénta

Tunggal Kristal Germaniummendakan aplikasi anu ngajangjikeun sareng lega, dimana kelas éléktronik dianggo pikeun dioda sareng transistor, Infrabeureum atanapi kelas optik germanium kosong atanapi jandela kanggo jandela optik IR atanapi disk, komponén optik anu dianggo dina visi wengi sareng solusi pencitraan thermographic pikeun kaamanan, pangukuran suhu jauh, tarung seuneu jeung alat ngawaskeun industri, enteng doped P jeung N tipe Germanium wafer bisa ogé dipaké pikeun percobaan pangaruh Hall.Kelas sél kanggo substrat anu dianggo dina sél surya triple-junction III-V sareng pikeun sistem PV Konsentrasi kakuatan sél surya jsb.